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                    测试服务

                  本测试实验室提供专业的半导体特性评估,包括静态特性、动态特性和热特性。除提供建模测试数据和制作分立器件规格书外,我们还能完成一些特殊的测试项目,诸如TVS器件的S21MOSFET器件的dv/dt和三极管的fT。鉴于各家客户的需求难以统一,我们会在充分评估项目的难度和工时后给出正式报价。

                  本测试实验室可提供的服务项目参见表一、表二和表三。

                  表一  二极管相关测试项目

                  测试类别

                  测试项目

                   

                  参数

                  符号

                  电性能参数

                  静态参数

                  正向电压

                  VF

                  1.        可提供高低温(-40 200)测试结果

                  2.        可提供测试曲线或波形

                  3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

                  4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

                  反向漏电

                  IR

                  反向击穿电压

                  VBR

                  正向平均电流

                  IFAV

                  动态参数

                  结电容

                  CJ

                  反向恢复时间相关参数

                  Trr/Ta/Tb/S

                  反向恢复峰值电流

                  Irm

                  反向恢复电荷

                  Qrr

                  电压变化率

                  dv/dt

                  热性能参数

                  耗散功率

                  PD

                   

                  结到环境热阻

                  Rthj-a

                   

                  结到壳热阻

                  Rthj-c

                  根据封装不同,可能为j-l

                  其他特殊参数

                  插入损耗

                  S21

                   

                  箝位电压

                  Vc

                  8/20μs10/1000μs

                  动态电阻

                  RDYN

                  TLP测试

                  单脉冲雪崩能量

                  EAS

                   

                   

                  表二  三极管相关测试项目

                  测试类别

                  测试项目

                   

                  参数

                  符号

                  电性能参数

                  静态参数

                  各类击穿电压

                  V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO

                  1.        可提供高低温(-40 200)测试结果

                  2.        可提供测试曲线或波形

                  3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

                  4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

                  各类漏电

                  ICEO/ICBO/IEBO

                  静态电流增益

                  hFE

                  基极-发射极导通电压

                  VBE(on)

                  各种饱和压降

                  VBEsat/VCE(sat)

                  动态参数

                  各类电容

                  Cobo/Cibo/Cre

                  延迟时间

                  Td

                  上升时间

                  Tr

                  存储时间

                  Ts

                  下降时间

                  Tf

                  热性能参数

                  耗散功率

                  PD

                   

                  结到环境热阻

                  Rthj-a

                   

                  结到壳热阻

                  Rthj-c

                   

                  其他特殊参数

                  增益带宽积(特征频率)

                  fT

                   

                  插入功率增益

                  S21e2

                   

                  噪声系数

                  NF

                  高频

                   

                  表三  MOSFET/IGBT相关测试项目

                  测试类别

                  测试项目

                   

                  参数

                  符号

                  电性能参数

                  静态参数

                  各类击穿电压

                  V(BR)DSS/V(BR)GSS

                  1.        可提供高低温(-40200℃)测试结果

                  2.        可提供测试曲线或波形

                  3.        DC类:Imax=400AVmax=3000V

                  4.        AC类:Imax=1000AVmax=1200V

                  5.        符号上IGBTVDMOS之间的替换关系:

                  C(集电极)=D(漏极);E(发射极)=S(源极)

                  各类漏电

                  IDSS/IGSS

                  栅极阈值电压

                  VGSth

                  导通电阻

                  RDS(on)

                  饱和压降

                  VCE(sat)

                  二极管正向压降

                  VSD/VF

                  动态参数

                  正向跨导

                  Gfs

                  栅极电阻

                  Rg

                  输入、输出、反向转移电容

                  Ciss/Coss/Crss

                  有效输出电容

                  Coer/Cotr

                  开关时间

                  Td(on)/Tr/Td(off)/Tf

                  导通损耗

                  Eon/Eoff

                  反向恢复时间相关参数

                  Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr

                  栅极电荷

                  Qg/Qgs/Qgd

                  短路电流、漏极脉冲电流

                  Isc/IDM

                  热性能参数

                  耗散功率

                  PD

                  结到环境热阻

                  Rthj-a

                  结到壳热阻

                  Rthj-c

                  其他特殊参数

                  单脉冲雪崩能量

                  EAS

                  说明:TOSMD有夹具,其他封装需要制作配套夹具(费用另计)。

                   

                  联系方式:

                  联系人:周女士

                  TEL0571-86714088-6192

                  Emailzhoujun@silanic.com.cn

                   

                   
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